Моя заявка (0)
NVMYS2D4N04CTWG, MOSFETs Power Mosfet 40V 2.4ohm 130A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062424628
Артикул
NVMYS2D4N04CTWG
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Fall Time:
18 ns
Rise Time:
50 ns
Вес, г
0.08
Цена по запросу
(от 214,81 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 onsemi N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.

Технические параметры

Brand:onsemi
Fall Time:18 ns
Rise Time:50 ns
Вес, г0.08
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:LFPAK-4
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:32 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:83 W
Typical Turn-On Delay Time:11 ns
Typical Turn-Off Delay Time:23 ns
Id - Continuous Drain Current:138 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:92 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V