Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET, 252 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 NVMYS1D3N04CTWG

N-Channel MOSFET, 252 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 NVMYS1D3N04CTWG

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8038045780
Артикул
NVMYS1D3N04CTWG
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
1
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
134Вт
Структура
N-Channel
Цена по запросу
(от 378,65 ₽)
Минимальный заказ: 4 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 N-канальные MV-МОП-транзисторы onsemi Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeN Channel
Power Dissipation134Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
КвалификацияAEC-Q101
Drain Source On State Resistance960мкОм
Количество Выводов4вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока252А
Рассеиваемая Мощность134Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds40В
Стиль Корпуса ТранзистораLFPAK
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)960мкОм
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А252
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт134
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.00115 Ом

Техническая документация