NVMYS021N06CLTWG,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 27 A, 0.018 ohm, LFPAK, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004319551
- Артикул
- NVMYS021N06CLTWG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- Power MOSFET
- Width
- 4.25mm
- Mounting
- Surface Mount
- Polarity
- N
Цена по запросу
(от 197 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный MOSFET, 27 А, 60 В, 4-контактный LFPAK НА полупроводнике NVMYS021N06CLTWG
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Width | 4.25mm |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4+Tab |
| Вес, г | 0.7 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | LFPAK |
| Rad Hardened | No |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 3.8(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Drain-Source On-Volt | 60(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Continuous Drain Current | 9.8(A) |
| Transistor Configuration | Single |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
| Maximum Power Dissipation | 28 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 31.5 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 27 A |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 27 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.018 Ом |