N-Channel MOSFET, 35 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 NVMYS011N04CTWG
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8032636363
- Артикул
- NVMYS011N04CTWG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 4.25mm
- Brand:
- onsemi
- Pin Count
- 4
- Fall Time:
- 5 ns
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильный силовой МОП-транзистор в корпусе LFPAK размером 5x6 мм, разработанный для компактной и эффективной конструкции и обладающий высокими тепловыми xарактеристиками.
Технические параметры
| Width | 4.25mm |
| Brand: | onsemi |
| Pin Count | 4 |
| Fall Time: | 5 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 16 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | LFPAK, SOT-669 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | LFPAK-4 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 7.9 nC |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 28 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 28 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7.9 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 111 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 12 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 35 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 12 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |