NVMTS0D7N04CTXG,Power MOSFET, N Channel, 40 V, 430 A, 570 µohm, DFNW, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005534996
- Артикул
- NVMTS0D7N04CTXG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 1.361
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 2 100 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 onsemi N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 1.361 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DFN-8 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 205 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 205 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 433 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 630 uOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 430 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |