NVMTS0D6N04CLTXG, MOSFETs T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375890
- Артикул
- NVMTS0D6N04CLTXG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 84.7 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 111 ns
Цена по запросу
(от 1 059,68 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 onsemi N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 84.7 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 111 ns |
| Вес, г | 5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | PQFN-88-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 126 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 245.4 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 89.4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 180 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 554.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 323 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 420 uOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |