Моя заявка (0)

NVMJST1D6N04CTXG, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 314A; Idm: 900A; 150W; TCPAK10

NVMJST1D6N04CTXG, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 314A; Idm: 900A; 150W; TCPAK10

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8065846876
Артикул
NVMJST1D6N04CTXG
Бренд
ON Semiconductor***
Grade
Automotive
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 525 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 40 В 314A (Tc) 300 Вт (Tc) для поверxностного монтажа 10-TCPAK

Технические параметры

GradeAutomotive
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.1
Mounting TypeSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Package / Case10-PowerLSOP(0.209", 5.30mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 130µA
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max)300W(Tc)
Supplier Device Package10-TCPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3300 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C314A(Tc)

Техническая документация