NVMJST1D4N06CLTXG, MOSFETs TRENCH 6 60V LFPAK 5X7

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара: 8031422961
Артикул: NVMJST1D4N06CLTXG
Бренд: ON Semiconductor***
Brand:: onsemi
Fall Time:: 11 ns
Packaging:: Reel, Cut Tape
Rise Time:: 25 ns

Цена по запросу

(от 365,77 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Одноканальные силовые МОП-транзисторы onsemi Одноканальные силовые МОП-транзисторы onsemi разработаны в компактныx и эффективныx конструкцияx с небольшими габаритами. Эти силовые МОП-транзисторы имеют низкие значения RDS (ON), QG и емкости, что сводит к минимуму проводимость и потери в приводе. Эти МОП-транзисторы доступны с напряжением стока к источнику 40 В, 60 В и 80 В и напряжением затвора к источнику ±20 В. Одноканальные силовые МОП-транзисторы onsemi не содержат Pb и соответствуют требованиям RoHS.

Технические параметры

Brand:	onsemi
Fall Time:	11 ns
Packaging:	Reel, Cut Tape
Rise Time:	25 ns
Вес, г	1
Technology:	Si
Subcategory:	Transistors
Channel Mode:	Enhancement
Manufacturer:	onsemi
Package/Case:	TCPAK57
Product Type:	MOSFETs
Configuration:	Single
Mounting Style:	SMD/SMT
Product Category:	MOSFETs
Qg - Gate Charge:	92.2 nC
Структура	N-Channel
Number of Channels:	1 Channel
Transistor Polarity:	N-Channel
Factory Pack Quantity:	3000
Особенности	-
Pd - Power Dissipation:	113 W
Typical Turn-On Delay Time:	16 ns
Typical Turn-Off Delay Time:	60 ns
Id - Continuous Drain Current:	198 A
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Forward Transconductance - Min:	217 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Пороговое напряжение на затворе	-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	1.49 mOhms