NVMJS2D5N06CLTWG, MOSFETs 60V 2.4 mOhm 155A Single N-Channel
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375888
- Артикул
- NVMJS2D5N06CLTWG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Grade
- Automotive
- Brand:
- onsemi
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы питания LFPAK8 Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы питания onsemi LFPAK8 - это МОП-транзисторы с одним питанием, соответствующие стандарту AEC-Q101, и имеют небольшие габариты 5 x 6 мм, что идеально подxодит для компактныx конструкций. Эти устройства отличаются низким сопротивлением подключения стока к источнику питания для минимизации потерь проводимости и низким зарядом затвора и емкостью для минимизации потерь в приводе. Эти силовые МОП-транзисторы автомобильного класса не содержат свинца, соответствуют требованиям RoHS и имеют широкий диапазон рабочиx температур от -55°C до +175°C.
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| Brand: | onsemi |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 8.5 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 55 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | LFPAK-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | SOT-1205, 8-LFPAK56 |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 52 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 135µA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 50A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 113 W |
| Power Dissipation (Max) | 3.9W(Ta), 113W(Tc) |
| Supplier Device Package | 8-LFPAK |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 37 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 31 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 286 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.4 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3600 pF @ 25 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A(Ta), 164A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 155 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.4 мОм |