NVMFWS3D0P04M8LT1G, MOSFETs MV8 P INITIAL PROGRAM
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029595892
- Артикул
- NVMFWS3D0P04M8LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Product:
- MOSFETs
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 600 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Product: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Вес, кг | 19.6 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 124 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 171 W |
| Id - Continuous Drain Current: | 183 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.7 MOhms |