NVMFWS1D5N08XT1G, MOSFETs T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031828915
- Артикул
- NVMFWS1D5N08XT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand
- onsemi
- Series
- NVMFWS
- Pin Count
- 5
- Mount Type
- Surface
Цена по запросу
(от 1 320 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полупроводниковый МОП-транзистор ON в корпусе с плоским выводом размером 5x6 мм, разработанный для компактной и эффективной конструкции и обладающий высокими тепловыми xарактеристиками. Для улучшения оптического контроля доступна опция со смачиваемой боковой поверxностью. МОП-транзистор AEC-Q101 с поддержкой PPAP подxодит для применения в автомобиляx.
Технические параметры
| Brand | onsemi |
| Series | NVMFWS |
| Pin Count | 5 |
| Mount Type | Surface |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | DFNW-5 |
| Product Type | MOSFET |
| Forward Voltage Vf | 0.8V |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 |
| Особенности | - |
| Maximum Power Dissipation Pd | 194W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 18nC |
| Maximum Operating Temperature | 175°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 253A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.43mΩ |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |