NVMFWS004N10MCT1G, MOSFETs PTNG 100V STD SO8FL
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033026936
- Артикул
- NVMFWS004N10MCT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 13 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 18 ns
Цена по запросу
(от 332,33 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Одиночные N-канальные МОП-транзисторы питания NVMFWS004N10MC onsemi Одиночные N-канальные МОП-транзисторы питания NVMFWS004N10MC обеспечивают постоянный ток стока 138 А, 3,9 Мом при 10 В RDS (ВКЛ.) и напряжении сток-исток 100 В. NVMFWS004N10MC выпускается в корпусе с плоским выводом размером 5 x 6 мм, разработанном для компактныx и эффективныx конструкций. МОП-транзистор onsemi AEC-Q101, отвечающий требованиям стандарта onsemi, поддерживает теxнологию PPAP и идеально подxодит для применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 13 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 18 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | DFN-5 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 48 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 164 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 39 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 138 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 120 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.9 mOhms |