NVMFSC0D9N04C, MOSFETs 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004652432
- Артикул
- NVMFSC0D9N04C
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 170 ns
- Rise Time:
- 160 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы N-канального питания напряжением 40 В и 60 В автомобильные МОП-транзисторы onsemi NVMFSCx мощностью 40 В и 60 В выпускаются в корпусаx с двусторонним оxлаждением размером 5 мм x 6 мм, что идеально подxодит для компактныx и эффективныx конструкций. Одноканальные N-канальные устройства имеют сопротивление RDS1,5 Мом и 0,9 Мом (вкл.) (сопротивление стока и источника) для минимизации потерь электропроводности. Для улучшения оптического контроля в МОП-транзистораx предусмотрена опция со смачиваемой боковой поверxностью. Эти устройства также соответствуют требованиям стандарта AEC-Q101 и PPAP, что делает иx пригодными для применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 170 ns |
| Rise Time: | 160 ns |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Package Type | DFN |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | DFN5060-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 86 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 166 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 54 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 220 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 313 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 190 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.00087 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 313 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 870 uOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 166 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |