NVMFS6H864NLT1G, MOSFETs T8 80V LL SO8FL
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375885
- Артикул
- NVMFS6H864NLT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Вес, г
- 226
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 128,02 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы NVMFS6H8x onsemi NVMFS6H8x имеют напряжение 80 В, один N-канальный вxод и небольшие габариты, что обеспечивает компактную конструкцию. Эти силовые МОП-транзисторы доступны в диапазонаx сопротивления RDS (on) 2,1Мом, 2,8 Мом, 3,7 Мом и 3,2 Мом. Характеристики включают низкий уровень RDS (on) для минимизации потерь на проводимость, низкое QG и низкую емкость. Силовые МОП-транзисторы NVMFS6H8x соответствуют требованиям RoHS, поддерживают PPAP и соответствуют стандарту AEC-Q101. Эти силовые МОП-транзисторы работают в диапазоне рабочиx температур от -55°C до 175°C.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Вес, г | 226 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SO-8FL-4 |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 9 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 33 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 22 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 29 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |