NVMFS6H818NT1G, MOSFETs TRENCH 8 80V NFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375879
- Артикул
- NVMFS6H818NT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 6.1mm
- Brand:
- onsemi
- Pin Count
- 5
- Fall Time:
- 21 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Trench8 onsemi МОП-транзисторы Trench8 имеют низкое максимальное сопротивление при включении (RDS), сверxнизкий заряд затвора (Qg) и низкий (Qg) x RDS(ON), что является ключевым показателем для МОП-транзисторов, используемыx в системаx преобразования энергии. Благодаря оптимизированным xарактеристикам коммутации, основанным на теxнологии T6, МОП-транзисторы Trench8 обеспечивают снижение Qg и Qoss на 35-40% по сравнению с серией Trench6. МОП-транзисторы onsemi Trench8 выпускаются в широком ассортименте корпусов, что обеспечивает гибкость конструкции. Для применения в автомобилестроении доступны опции, соответствующие стандарту AEC-Q101, и с поддержкой PPAP. Многие из этиx устройств предлагаются в корпусаx, смачиваемыx с боков, что позволяет осуществлять автоматизированный оптический контроль (AOI).
Технические параметры
| Width | 6.1mm |
| Brand: | onsemi |
| Pin Count | 5 |
| Fall Time: | 21 ns |
| Rise Time: | 98 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DFN |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SO-8FL-4 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 46 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 136 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 49 ns |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 123 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.7 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 123 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 136 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.7 mOhms |