Моя заявка (0)

NVMFS6H818NLT1G,Power MOSFET, N Channel, 80 V, 135 A, 0.0027 ohm, DFN, Surface Mount

NVMFS6H818NLT1G,Power MOSFET, N Channel, 80 V, 135 A, 0.0027 ohm, DFN, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004044062
Артикул
NVMFS6H818NLT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Grade
Automotive
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 1 700 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 80 В 22 А (Ta), 135 А (Tc), 3,8 Вт (Ta), 140 Вт (Tc) Для поверxностного монтажа 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Технические параметры

GradeAutomotive
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г3.4
Mounting TypeSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Package / Case8-PowerTDFN, 5 Leads
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 190µA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 20A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)3.8W(Ta), 140W(Tc)
Supplier Device Package5-DFN(5x6)(8-SOFL)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3844 pF @ 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A(Ta), 135A(Tc)
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А135
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт140
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0027 Ом

Техническая документация