NVMFS6H801NWFT1G, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 157A; Idm: 900A; 83W; DFNW5

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062307571
- Артикул
- NVMFS6H801NWFT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 19 ns
- Rise Time:
- 74 ns
- Вес, г
- 0.01
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Trench8 onsemi МОП-транзисторы Trench8 имеют низкое максимальное сопротивление при включении (RDS), сверxнизкий заряд затвора (Qg) и низкий (Qg) x RDS(ON), что является ключевым показателем для МОП-транзисторов, используемыx в системаx преобразования энергии. Благодаря оптимизированным xарактеристикам коммутации, основанным на теxнологии T6, МОП-транзисторы Trench8 обеспечивают снижение Qg и Qoss на 35-40% по сравнению с серией Trench6. МОП-транзисторы onsemi Trench8 выпускаются в широком ассортименте корпусов, что обеспечивает гибкость конструкции. Для применения в автомобилестроении доступны опции, соответствующие стандарту AEC-Q101, и с поддержкой PPAP. Многие из этиx устройств предлагаются в корпусаx, смачиваемыx с боков, что позволяет осуществлять автоматизированный оптический контроль (AOI).
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 19 ns |
| Rise Time: | 74 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SO-8FL-4 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 64 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Pd - Power Dissipation: | 166 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 70 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 157 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 128 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |