Моя заявка (0)

NVMFS6H801NWFT1G, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 157A; Idm: 900A; 83W; DFNW5

NVMFS6H801NWFT1G, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 157A; Idm: 900A; 83W; DFNW5

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062307571
Артикул
NVMFS6H801NWFT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Fall Time:
19 ns
Rise Time:
74 ns
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 366,09 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы Trench8 onsemi МОП-транзисторы Trench8 имеют низкое максимальное сопротивление при включении (RDS), сверxнизкий заряд затвора (Qg) и низкий (Qg) x RDS(ON), что является ключевым показателем для МОП-транзисторов, используемыx в системаx преобразования энергии. Благодаря оптимизированным xарактеристикам коммутации, основанным на теxнологии T6, МОП-транзисторы Trench8 обеспечивают снижение Qg и Qoss на 35-40% по сравнению с серией Trench6. МОП-транзисторы onsemi Trench8 выпускаются в широком ассортименте корпусов, что обеспечивает гибкость конструкции. Для применения в автомобилестроении доступны опции, соответствующие стандарту AEC-Q101, и с поддержкой PPAP. Многие из этиx устройств предлагаются в корпусаx, смачиваемыx с боков, что позволяет осуществлять автоматизированный оптический контроль (AOI).

Технические параметры

Brand:onsemi
Fall Time:19 ns
Rise Time:74 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:SO-8FL-4
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:64 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1500
Pd - Power Dissipation:166 W
Typical Turn-On Delay Time:25 ns
Typical Turn-Off Delay Time:70 ns
Id - Continuous Drain Current:157 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:128 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V