N-Channel MOSFET, 157 A, 80 V, 5-Pin DFN NVMFS6H801NT1G
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029698341
- Артикул
- NVMFS6H801NT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 6.1mm
- Pin Count
- 5
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 502 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор ON Semiconductor DFN5 для поверxностного монтажа - это продукт нового поколения с напряжением сток-исток 80 В и максимальным напряжением затвор-исток 20 В.
Технические параметры
| Width | 6.1mm |
| Pin Count | 5 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DFN |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 166 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.8 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 157 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 157 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 166 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |