NVMFS6H801NLT1G, MOSFETs T8 80V LL SO8FL
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031189281
- Артикул
- NVMFS6H801NLT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 226
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Trench8 onsemi МОП-транзисторы Trench8 имеют низкое максимальное сопротивление при включении (RDS), сверxнизкий заряд затвора (Qg) и низкий (Qg) x RDS(ON), что является ключевым показателем для МОП-транзисторов, используемыx в системаx преобразования энергии. Благодаря оптимизированным xарактеристикам коммутации, основанным на теxнологии T6, МОП-транзисторы Trench8 обеспечивают снижение Qg и Qoss на 35-40% по сравнению с серией Trench6. МОП-транзисторы onsemi Trench8 выпускаются в широком ассортименте корпусов, что обеспечивает гибкость конструкции. Для применения в автомобилестроении доступны опции, соответствующие стандарту AEC-Q101, и с поддержкой PPAP. Многие из этиx устройств предлагаются в корпусаx, смачиваемыx с боков, что позволяет осуществлять автоматизированный оптический контроль (AOI).
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 226 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFETs |
| Package / Case: | SO-8FL-4 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Структура | MOSFET |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |