N-Channel MOSFET, 203 A, 80 V, 5-Pin DFN NVMFS6H800NT1G
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031066690
- Артикул
- NVMFS6H800NT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 6.1mm
- Pin Count
- 5
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 1 060 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильный силовой МОП-транзистор в корпусе с плоским выводом размером 5x6 мм, разработанный для компактной и эффективной конструкции и обладающий высокими тепловыми xарактеристиками.
Технические параметры
| Width | 6.1mm |
| Pin Count | 5 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DFN |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Power Dissipation (Pd) | 3.8W;200W |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 200 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 85 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 85nC@10V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5.53nF@40V |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 28A;203A |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.1 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 203 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@330uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 203 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.1mΩ@50A, 10V |