Моя заявка (0)

NVMFS5C680NLWFT1G, Trans MOSFET N-CH 60V 8.1A Automotive 5-Pin DFNW EP T/R

NVMFS5C680NLWFT1G, Trans MOSFET N-CH 60V 8.1A Automotive 5-Pin DFNW EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002328104
Артикул
NVMFS5C680NLWFT1G
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
Yes
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 230 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 60V 8.1A Автомобильный AEC-Q101 с 5-контактным разъемом SO-FL EP T/R

Технические параметры

PPAPYes
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count5
AutomotiveYes
Lead ShapeNo Lead
Вес, г1
PCB changed5
Part StatusActive
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Package Width5.9 mm
Package Length4.9 mm
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageSO-FL EP
СтруктураN-Channel
Standard Package NameDFN
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)2.5
Typical Rise Time (ns)12.5
Особенностиавтомобильные приложения
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)3400
Typical Gate Charge @ 10V (nC)5.8
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)5.8@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)5
Maximum Drain-Source Voltage (V)60
Typical Turn-Off Delay Time (ns)14
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)330@25V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)27.5@10V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация