Моя заявка (0)

NVMFS5C673NLAFT1G-YE, Trans MOSFET N-CH 60V 14A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101

NVMFS5C673NLAFT1G-YE, Trans MOSFET N-CH 60V 14A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050295320
Артикул
NVMFS5C673NLAFT1G-YE
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
Yes
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Pin Count
5
Цена по запросу
(от 79 ₽)
Минимальный заказ: 1500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 60V 14A 5-контактный SO-FL EP T/R Автомобильный AEC-Q101

Технические параметры

PPAPYes
SVHCYes
MountingSurface Mount
Pin Count5
AutomotiveYes
Lead ShapeNo Lead
Вес, г1
PCB changed5
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Package Width5.9
Package Length4.9
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageSO-FL EP
СтруктураN-Channel
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)2
Typical Rise Time (ns)25
Особенностиавтомобильные приложения
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)3600
Typical Gate Charge @ 10V (nC)9.5
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)4.5@4.5V|9.5@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)6
Maximum Drain-Source Voltage (V)60
Typical Turn-Off Delay Time (ns)16
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)14
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 175
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)880@25V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)9.2@10V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А14
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация