Моя заявка (0)

NVMFS5C673NLAFT1G, Trans MOSFET N-CH 60V 14A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101

NVMFS5C673NLAFT1G, Trans MOSFET N-CH 60V 14A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002302466
Артикул
NVMFS5C673NLAFT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Fall Time:
2 ns
Rise Time:
25 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 186 ₽)
Минимальный заказ: 413 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 onsemi N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.

Технические параметры

Brand:onsemi
Fall Time:2 ns
Rise Time:25 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SO-8FL-4
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:9.5 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1500
Особенностиавтомобильные приложения
Pd - Power Dissipation:46 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:16 ns
Id - Continuous Drain Current:50 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:37 S
Rds On - Drain-Source Resistance:11 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А14
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт46
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация