NVMFS5C638NLT1G, MOSFETs 60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375863
- Артикул
- NVMFS5C638NLT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 6.1mm
- Pin Count
- 5
- Вес, г
- 0.11
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 275,90 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильный силовой МОП-транзистор в корпусе с плоским выводом размером 5 x 6 мм, разработанный для компактной и эффективной конструкции и обладающий высокими тепловыми xарактеристиками.
Технические параметры
| Width | 6.1mm |
| Pin Count | 5 |
| Вес, г | 0.11 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DFN |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 100 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 18.4 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 3 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 133 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3 мОм |