Моя заявка (0)

NVMFS5C628NT1G, 60V 150A 2.3m @10V,27A 110W 4V 1 N-Channel DFN-5(5.9x4.9) MOSFETs ROHS

NVMFS5C628NT1G, 60V 150A 2.3m @10V,27A 110W 4V 1 N-Channel DFN-5(5.9x4.9) MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048218709
Артикул
NVMFS5C628NT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Fall Time:
6.2 ns
Rise Time:
5.8 ns
Вес, г
0.37
Цена по запросу
(от 530 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы NVMFS5C628N onsemi NVMFS5C628N - это компактные и эффективно спроектированные автомобильные силовые МОП-транзисторы с высокими тепловыми xарактеристиками. Эти МОП-транзисторы выпускаются в корпусе с плоским выводом размером 5 × 6 мм и имеют смачиваемую боковую часть для улучшения оптического контроля. силовые МОП-транзисторы onsemi NVMFS5C628N имеют низкие значения RDS (on), QG и емкости затвора, что сводит к минимуму потери на проводимость и переключение. Типичные области применения включают защиту батареи реверсора, импульсные источники питания, силовые выключатели, электромагнитные приводы, управление двигателем и переключатели нагрузки.

Технические параметры

Brand:onsemi
Fall Time:6.2 ns
Rise Time:5.8 ns
Вес, г0.37
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:SO-8FL-4
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q100
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:34 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1500
Pd - Power Dissipation:110 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:16 ns
Typical Turn-Off Delay Time:25 ns
Id - Continuous Drain Current:150 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:110 S
Rds On - Drain-Source Resistance:3 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V

Техническая документация