NVMFS5C628NT1G,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 150 A, 0.0023 ohm, DFN, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003705357
- Артикул
- NVMFS5C628NT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 6.2 ns
- Rise Time:
- 5.8 ns
- Вес, г
- 0.4
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы NVMFS5C628N onsemi NVMFS5C628N - это компактные и эффективно спроектированные автомобильные силовые МОП-транзисторы с высокими тепловыми xарактеристиками. Эти МОП-транзисторы выпускаются в корпусе с плоским выводом размером 5 × 6 мм и имеют смачиваемую боковую часть для улучшения оптического контроля. силовые МОП-транзисторы onsemi NVMFS5C628N имеют низкие значения RDS (on), QG и емкости затвора, что сводит к минимуму потери на проводимость и переключение. Типичные области применения включают защиту батареи реверсора, импульсные источники питания, силовые выключатели, электромагнитные приводы, управление двигателем и переключатели нагрузки.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 6.2 ns |
| Rise Time: | 5.8 ns |
| Вес, г | 0.4 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SO-8FL-4 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q100 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 34 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 110 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 150 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 110 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0023 Ом |