NVMFS5C612NWFT1G, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 225 A, 0.00135 ohm, DFN, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004132127
- Артикул
- NVMFS5C612NWFT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.4
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 167Вт
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 875 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.4 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 167Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Drain Source On State Resistance | 0.00135Ом |
| Количество Выводов | 5вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 225А |
| Рассеиваемая Мощность | 167Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | DFN |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.00135Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 225 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 167 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.00135 Ом |