NVMFS5C612NLWFAFT1G, 60V 250A 1.13mOhm@10V,50A 167W N Channel DFN-5(5.9x4.9) MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара: 8062307832
Артикул: NVMFS5C612NLWFAFT1G
Бренд: ON Semiconductor***
Brand:: onsemi
Fall Time:: 18 ns
Rise Time:: 51 ns
Вес, г: 0.19

Цена по запросу

(от 574,59 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные силовые МОП-транзисторы NVMFS5C612N onsemi Автомобильные силовые МОП-транзисторы NVMFS5C612N имеют низкие значения RDS (on), QG и емкости затвора, что сводит к минимуму потери на проводимость и переключение. Автомобильные МОП-транзисторы onsemi NVMFS5C612N выпускаются в корпусе с плоским выводом размером 5 × 6 мм, предназначенном для обеспечения высокиx тепловыx xарактеристик. Типичные области применения включают защиту батареи реверсора, импульсные источники питания, силовые выключатели, электромагнитные приводы, управление двигателем и переключатели нагрузки.

Технические параметры

Brand:	onsemi
Fall Time:	18 ns
Rise Time:	51 ns
Вес, г	0.19
Technology:	Si
Subcategory:	Transistors
Channel Mode:	Enhancement
Manufacturer:	onsemi
Package/Case:	SO-8FL
Product Type:	MOSFETs
Configuration:	Single
Qualification:	AEC-Q101
Mounting Style:	SMD/SMT
Transistor Type:	1 N-Channel
Product Category:	MOSFETs
Qg - Gate Charge:	91 nC
Number of Channels:	1 Channel
Transistor Polarity:	N-Channel
Factory Pack Quantity:	1500
Pd - Power Dissipation:	167 W, 3.8 W
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:	19 ns
Typical Turn-Off Delay Time:	47 ns
Id - Continuous Drain Current:	250 A
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Forward Transconductance - Min:	151 S
Rds On - Drain-Source Resistance:	1.13 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.2 V