Моя заявка (0)

NVMFS5C604NLWFAFT1G,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 287 A, 930 µohm, DFN, Surface Mount

NVMFS5C604NLWFAFT1G,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 287 A, 930 µohm, DFN, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8983944440
Артикул
NVMFS5C604NLWFAFT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Grade
Automotive
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 948 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 60 В 287А (Tc) 200 Вт (Tc) для поверxностного монтажа 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Технические параметры

GradeAutomotive
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.024
Mounting TypeSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Package / Case8-PowerTDFN, 5 Leads
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2mOhm @ 50A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)200W(Tc)
Supplier Device Package5-DFN(5x6)(8-SOFL)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs52 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8900 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C287A(Tc)
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А287
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт200
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация