Моя заявка (0)

NVMFS5C466NWFT1G, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; Idm: 226A; 19W; DFNW5

NVMFS5C466NWFT1G, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; Idm: 226A; 19W; DFNW5

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8064283159
Артикул
NVMFS5C466NWFT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Fall Time:
6 ns
Rise Time:
24 ns
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Минимальный заказ: 1500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 onsemi N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.

Технические параметры

Brand:onsemi
Fall Time:6 ns
Rise Time:24 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:SO-8FL
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:10 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1500
Pd - Power Dissipation:37 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:9.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:19 ns
Id - Continuous Drain Current:49 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:29 S
Rds On - Drain-Source Resistance:8.1 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V