Моя заявка (0)

NVMFS5C460NLWFT1G, Trans MOSFET N-CH 40V 21A 5-Pin DFNW EP T/R Automotive AEC-Q101

NVMFS5C460NLWFT1G, Trans MOSFET N-CH 40V 21A 5-Pin DFNW EP T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002234015
Артикул
NVMFS5C460NLWFT1G
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
Yes
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 118 ₽)
Минимальный заказ: 640 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 40V 21A Автомобильный 5-контактный DFNW EP T/R

Технические параметры

PPAPYes
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count5
AutomotiveYes
Lead ShapeFlat
Вес, г1
PCB changed5
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Package Width5.9
Package Length4.9
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageDFNW EP
Maximum IDSS (uA)10
СтруктураN-Channel
Standard Package NameDFN
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)4.4
Typical Rise Time (ns)3.4
Особенностиавтомобильные приложения
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)3600
Typical Gate Charge @ 10V (nC)23
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)11@4.5V|23@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)9.2
Maximum Drain-Source Voltage (V)40
Typical Turn-Off Delay Time (ns)17
Maximum Gate Threshold Voltage (V)2
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)21
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 175
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1300@25V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)4.5@10V
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А21
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация