NVMFS5C460NLWFAFT1G, 40V 78A 4.5mOhm@10V,78A 50W DFN-8-EP(6.1x5.2) MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8067371567
- Артикул
- NVMFS5C460NLWFAFT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Grade
- Automotive
- Brand:
- onsemi
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Минимальный заказ: 1500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 onsemi N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| Brand: | onsemi |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 4.4 ns |
| Rise Time: | 3.4 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.17 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SO-8FL |
| Product Type: | MOSFETs |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 23 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 35A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 50 W |
| Power Dissipation (Max) | 3.6W(Ta), 50W(Tc) |
| Supplier Device Package | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.2 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 17 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 78 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 72 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.7 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A(Ta), 78A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |