Моя заявка (0)
NVMFS5C456NLAFT1G, MOSFETs T6 40V NCH LL IN U8FL

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007323334
Артикул
NVMFS5C456NLAFT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Fall Time:
4 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
100 ns
Цена по запросу
(от 195,53 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 onsemi N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.

Технические параметры

Brand:onsemi
Fall Time:4 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:100 ns
Вес, г0.19
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:SO-8FL-4
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:Single N-Channel Power MOSFET
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:18 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:55 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:9.3 ns
Typical Turn-Off Delay Time:17 ns
Id - Continuous Drain Current:87 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:3.1 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация