NVMFS5C430NLAFT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 140А; Idm: 900А; 53Вт; DFN5x6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025288121
- Артикул
- NVMFS5C430NLAFT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.4
- No. of Pins
- 5Pins
- Channel Type
- N Channel
Цена по запросу
(от 360 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
40 В 200 А 1.2mOhm@10V,50110 Вт 2 В при 250 мкА N-канальные МОП-транзисторы DFN-5 (5.9x4.9) ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.4 |
| No. of Pins | 5Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Transistor Case Style | DFN |
| Power Dissipation (Pd) | 110W |
| Особенности | - |
| Drain Source Voltage Vds | 40V |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 32nC@4.5V |
| Continuous Drain Current Id | 200A |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.3nF@20V |
| Continuous Drain Current (Id) | 200A |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 2V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 72pF@20V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 140 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 53 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.2mΩ@10V, 50A |