NVMFS5C426NLT1G, MOSFETs 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375833
- Артикул
- NVMFS5C426NLT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 6.1mm
- Pin Count
- 5
- Вес, г
- 0.1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 613 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильный силовой МОП-транзистор в корпусе с плоским выводом размером 5 x 6 мм, разработанный для компактной и эффективной конструкции и обладающий высокими тепловыми xарактеристиками.
Технические параметры
| Width | 6.1mm |
| Pin Count | 5 |
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | DFN |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 128Вт |
| Структура | MOSFET |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Maximum Power Dissipation | 128 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 44 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.2 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.001Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 237 A |
| Количество Выводов | 5вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 237А |
| Рассеиваемая Мощность | 128Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Стиль Корпуса Транзистора | DFN |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.001Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 128 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.2 мОм |