Моя заявка (0)

NVMFS5C423NLAFT1G, 40V 150A 2mOhm@10V 83W 1.2V@90uA 1 N-channel DFN-5(5.9x4.9) MOSFETs ROHS

NVMFS5C423NLAFT1G, 40V 150A 2mOhm@10V 83W 1.2V@90uA 1 N-channel DFN-5(5.9x4.9) MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044373544
Артикул
NVMFS5C423NLAFT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Fall Time:
8.1 ns
Rise Time:
7.4 ns
Вес, г
0.17
Цена по запросу
(от 318 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 onsemi N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.

Технические параметры

Brand:onsemi
Fall Time:8.1 ns
Rise Time:7.4 ns
Вес, г0.17
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:SO-8FL-4
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:50 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1500
Pd - Power Dissipation:83 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:12 ns
Typical Turn-Off Delay Time:28 ns
Id - Continuous Drain Current:150 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:140 S
Rds On - Drain-Source Resistance:1.6 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.2 V

Техническая документация