NVMFS5C404NLWFT1G, MOSFETs NFET SO8FL 40V 373A 750MO
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375771
- Артикул
- NVMFS5C404NLWFT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 157 ns
- Rise Time:
- 135 ns
- Вес, г
- 0.19
Цена по запросу
(от 756,62 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП−транзисторы NVMx и NVTx onsemi NVMx и NVTx Power соответствуют стандарту AEC-Q101 и предлагают компактные и эффективные решения для применения в автомобилестроении. Силовые МОП-транзисторы NVMx и NVTx обеспечивают низкий уровень RDS (on) для минимизации потерь на проводимость и низкое QG и емкость для минимизации потерь в драйвере. Эти одноканальные МОП-транзисторы onsemi, выполненные в компактныx корпусаx SO-8FL и WDFN8, не содержат Pb, галогенов/BFR и соответствуют требованиям RoHS.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 157 ns |
| Rise Time: | 135 ns |
| Вес, г | 0.19 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SO-8FL |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 181 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 200 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 87 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 370 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 270 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 520 uOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 373 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.75mΩ@50A, 10V |