Моя заявка (0)

NVMFS5885NLT1G, Trans MOSFET N-CH 60V 10.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R

NVMFS5885NLT1G, Trans MOSFET N-CH 60V 10.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001060998
Артикул
NVMFS5885NLT1G
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
Yes
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 105 ₽)
Минимальный заказ: 717 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 60V 10.2A Автомобильный AEC-Q101 с 5-контактным разъемом SO-FL EP T/R

Технические параметры

PPAPYes
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count5
AutomotiveYes
Lead ShapeNo Lead
Вес, г1
PCB changed5
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Package Width5.9
Package Length4.9
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageSO-FL EP
Maximum IDSS (uA)1
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)52
Typical Rise Time (ns)64
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)3700
Typical Gate Charge @ 10V (nC)21
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)12@4.5V|21@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)10
Maximum Drain-Source Voltage (V)60
Typical Turn-Off Delay Time (ns)18
Maximum Gate Threshold Voltage (V)2.5
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)10.2
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1340@25V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)15@10V
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)100

Техническая документация