Моя заявка (0)

NVMFS5113PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -45А; 75Вт; DFN5x6

NVMFS5113PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -45А; 75Вт; DFN5x6

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062590322
Артикул
NVMFS5113PLT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Fall Time:
77 ns
Rise Time:
37 ns
Вес, г
0.1
Цена по запросу
(от 220 ₽)
Минимальный заказ: 1500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:onsemi
Fall Time:77 ns
Rise Time:37 ns
Вес, г0.1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:SO-8FL-4
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:83 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:1500
Pd - Power Dissipation:150 W
Typical Turn-On Delay Time:15 ns
Typical Turn-Off Delay Time:54 ns
Id - Continuous Drain Current:64 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:43 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V