NVMFS4C05NT1G, 30V 127A 2.3mOhm@10V,30A 79W N Channel SO-8FL MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062307621
- Артикул
- NVMFS4C05NT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- onsemi
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 0.2
Цена по запросу
(от 266,69 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 onsemi N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | onsemi |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 0.2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SO-8FL-4 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 30 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Power Dissipation (Pd) | 3.61W;79W |
| Pd - Power Dissipation: | 3.61 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 30nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.972nF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 24.7A;116A |
| Id - Continuous Drain Current: | 116 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 59pF@15V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |