Моя заявка (0)

NVMFS3D0P04M8LT1G, MOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 2.7 mohm, -183 A

NVMFS3D0P04M8LT1G, MOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 2.7 mohm, -183 A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063710349
Артикул
NVMFS3D0P04M8LT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Grade
Automotive
FET Type
P-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 280 ₽)
Минимальный заказ: 1500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

P-канал 40 В, 28 А (Ta), 183 А (Tc), 3,9 Вт (Ta), 171 Вт (Tc) Для поверxностного монтажа, 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Технические параметры

GradeAutomotive
FET TypeP-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Mounting TypeSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Package / Case8-PowerTDFN, 5 Leads
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 2mA
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max)3.9W(Ta), 171W(Tc)
Supplier Device Package5-DFN(5x6)(8-SOFL)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5827 pF @ 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C28A(Ta), 183A(Tc)

Техническая документация