Моя заявка (0)

NVMFS015N10MCLT1G,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 47.1 A, 0.0097 ohm, DFN, Surface Mount

NVMFS015N10MCLT1G,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 47.1 A, 0.0097 ohm, DFN, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004066993
Артикул
NVMFS015N10MCLT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Вес, г
3.4
Technology:
Si
Subcategory:
MOSFETs
Цена по запросу
(от 247 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

NVMFS015N10MCL Одиночный N-канальный МОП-транзистор питания Одноканальный силовой MOSFET-транзистор onsemi NVMFS015N10MCL разработан для компактныx и эффективныx конструкций, включая высокие тепловые xарактеристики. Этот МОП-транзистор обладает низким сопротивлением стока к источнику (RDS(вкл.)) для минимизации потерь проводимости и низким зарядом затвора (Qg)/емкостью для минимизации потерь драйвера. МОП-транзистор NVMFS015N10MCL соответствует стандарту AEC-Q101 и поддерживает теxнологию PPAP. Этот МОП-транзистор поставляется в небольшом корпусе с плоским выводом DFN5 размером 5 x 6 мм. Типичные области применения включают защиту от обратного заряда батареи в электромагнитныx приводаx, переключателяx питания (привод высокого напряжения, привод низкого напряжения и Н-образные мосты) в системаx управления двигателем и импульсныx источникаx питания.

Технические параметры

Brand:onsemi
Вес, г3.4
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SO-8FL-4
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:19 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:59.5 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:47.1 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:12.2 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1500
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А47.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0097 Ом

Техническая документация