Dual N-Channel MOSFET, 25 A, 80 V, 8-Pin DFN NVMFD6H852NLWFT1G
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015542384
- Артикул
- NVMFD6H852NLWFT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 5.1mm
- Brand:
- onsemi
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 16 ns
Цена по запросу
(от 170 ₽)
Минимальный заказ: 1500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Небольшие габариты (5x6 мм) для компактной конструкции Низкий уровень RDS (вкл.) для минимизации потерь проводимости Низкое QG и емкость для минимизации потерь в приводе
Технические параметры
| Width | 5.1mm |
| Brand: | onsemi |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 16 ns |
| Rise Time: | 23 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DFN |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SO-8FL-Dual-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 10 nC |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 38 W |
| Transistor Configuration | Dual |
| Maximum Power Dissipation | 3.2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 25 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 138 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 31.5 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 25 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 25.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |