NVMFD6H852NLT1G,Dual MOSFET, N Channel, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.021 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002437625
- Артикул
- NVMFD6H852NLT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 5.1mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.7
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 350 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Небольшие габариты (5x6 мм) для компактной конструкции Низкий уровень RDS (вкл.) для минимизации потерь проводимости Низкое QG и емкость для минимизации потерь в приводе
Технические параметры
| Width | 5.1mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.7 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DFN |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | полевая сборка |
| Transistor Configuration | Dual |
| Maximum Power Dissipation | 3.2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 31.5 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 25 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 25 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 38 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.021 Ом |