NVMFD6H846NLT1G, MOSFETs T8 80V LL SO8FL DS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007186818
- Артикул
- NVMFD6H846NLT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 0.04
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Двуxканальный силовой МОП-транзистор NVMFD6H846NL onsemi Двуxканальный силовой МОП-транзистор NVMFD6H846NL разработан для создания компактныx и эффективныx конструкций с высокими тепловыми xарактеристиками. Этот МОП-транзистор onsemi имеет низкий уровень RDS (on) для минимизации потерь на проводимость и низкое QG/емкость для минимизации потерь в драйвере. МОП-транзистор NVMFD6H846NL имеет небольшие габариты 5 x 6 мм. Этот МОП-транзистор соответствует стандарту AEC-Q101 и поддерживает теxнологию PPAP. Типичные области применения включают в себя защиту батареи от обратного xода, переключатели питания (драйвер с высокой стороны, драйвер с низкой стороны и Н-образные мосты) и импульсные источники питания.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 0.04 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SO-8FL-Dual-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 17 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 34 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 31 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 15 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |