NVMFD6H840NLWFT1G, MOSFETs T8 80V LL SO8FL DS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375805
- Артикул
- NVMFD6H840NLWFT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 5.1mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 570 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильный силовой МОП-транзистор в корпусе с плоским выводом размером 3x3 мм, разработанный для компактной и эффективной конструкции и обладающий высокими тепловыми xарактеристиками.
Технические параметры
| Width | 5.1mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DFN |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Dual |
| Maximum Power Dissipation | 3.1 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 8.8 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 74 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |