Моя заявка (0)

NVMFD5C680NLWFT1G, 60V 26A 23mOhm@10V,5A 19W 2.2V@13uA 2 N-Channel DFN-8(5x6) MOSFETs ROHS

NVMFD5C680NLWFT1G, 60V 26A 23mOhm@10V,5A 19W 2.2V@13uA 2 N-Channel DFN-8(5x6) MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062307612
Артикул
NVMFD5C680NLWFT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Fall Time:
23 ns, 23 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
25 ns, 25 ns
Цена по запросу
(от 228,39 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 onsemi N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.

Технические параметры

Brand:onsemi
Fall Time:23 ns, 23 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:25 ns, 25 ns
Вес, г0.2
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:SO-8FL-Dual-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Dual
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:5 nC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1500
Pd - Power Dissipation:19 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:6.4 ns, 6.4 ns
Typical Turn-Off Delay Time:13 ns, 13 ns
Id - Continuous Drain Current:26 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:50 S, 50 S
Rds On - Drain-Source Resistance:23 mOhms, 23 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.2 V

Техническая документация