Dual N-Channel MOSFET, 68 A, 60 V, 8-Pin DFN NVMFD5C668NLT1G
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029545113
- Артикул
- NVMFD5C668NLT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 6.1mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 440 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Небольшие габариты (5x6 мм) для компактной конструкции Низкий уровень RDS (вкл.) для минимизации потерь проводимости Низкое QG и емкость для минимизации потерь в приводе
Технические параметры
| Width | 6.1mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DFN |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | полевая сборка |
| Maximum Power Dissipation | 57.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 9.8 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 6.5 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 68 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 68 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 57.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |