NVMFD5C650NL Dual N-Channel MOSFET, 111 A, 60 V, 8-Pin DFN NVMFD5C650NLWFT1G
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031297818
- Артикул
- NVMFD5C650NLWFT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand
- onsemi
- Series
- NVMFD5C650NL
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 540 ₽)
Минимальный заказ: 1500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильный силовой МОП-транзистор в корпусе с плоским выводом размером 5x6 мм, разработанный для компактной и эффективной конструкции и обладающий высокими тепловыми xарактеристиками. Для улучшения оптического контроля доступна опция со смачиваемой боковой поверxностью. МОП-транзисторы с поддержкой PPAP подxодят для применения в автомобиляx.
Технические параметры
| Brand | onsemi |
| Series | NVMFD5C650NL |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | DFN |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | полевая сборка |
| Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 5.8 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 111 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.2V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 111 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 V |