NVMFD5C650NLT1G, 60V 111A 3.5mOhm@10V,20A 125W 2.2V@98uA 2 N-Channel DFN-8(5x6) MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044373210
- Артикул
- NVMFD5C650NLT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 13 ns, 13 ns
- Rise Time:
- 24 ns, 24 ns
- Вес, г
- 0.18
Цена по запросу
(от 860 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 onsemi N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 13 ns, 13 ns |
| Rise Time: | 24 ns, 24 ns |
| Вес, г | 0.18 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SO-8FL-Dual-8 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 37 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns, 13 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 37 ns, 37 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 111 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 120 S, 120 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |